Википедия

МОП-транзистор: различия между версиями

Интерактивная навигация по истории
[непроверенная версия][отпатрулированная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Нет описания правки
автовикификация
Строка 6:
 
== Базовая классификация ==
 
=== Тип канала ===
Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом ({{lang-en|enhancement mode transistor}}): у них канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор. Именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала.
Строка 34 ⟶ 35 :
|- align=center
|width=100| ||width=150| '''Индуцированный<br />канал''' ||width=150| '''Встроенный<br /> канал'''
|- align=center
| '''P-канал'''
|bgcolor=white| [[Файл:МОП-транзистор с индуцированнным p-каналом.png|80px]]
|bgcolor=white| [[Файл:МОП-транзистор с встроенным p-каналом.png|80px]]
|- align=center
| '''N-канал'''
|bgcolor=white| [[Файл:МОП-транзистор с индуцированнным n-каналом.png|80px]]
|bgcolor=white| [[Файл:МОП-транзистор с встроенным n-каналом.png|80px]]
|-
|colspan=3|Условные обозначения: З - — затвор (G - — Gate), И - — исток (S - — Source), С - — сток (D - — Drain)
|}
 
Строка 72 ⟶ 73 :
# Защитные диоды (супрессоры) параллельно транзистору и его затвору. При превышении напряжения питания на транзисторе (или при превышении управляющего сигнала на затворе транзистора) выше допустимого, например при импульсных помехах, супрессор срезает опасные выбросы и спасает транзистор.
# Резистор, включённый в цепь затвора, для уменьшения тока заряда затвора. Затвор мощного полевого транзистора обладает достаточно высокой ёмкостью, представляет из себя фактически конденсатор ёмкостью несколько десятков нФ, что приводит к значительным импульсным токам в момент зарядки затвора (единицы ампер). Большие импульсные токи могут повредить схему управления затвором транзистора.
# Управление мощным MOSFET-транзистором, работающем в ключевом режиме на высоких частотах осуществляют с помощью [[Драйвер (электроника)|драйвера]] — специальной схемы или готовой микросхемы, усиливающей управляющий сигнал и обеспечивающей большой импульсный ток для быстрой зарядки затвора транзистора. Это увеличивает скорость работы транзистора. Ёмкость затвора мощного силового транзистора может достигать тысяч пикофарад, для быстрой её зарядки требуется ток в единицы ампер.
# Также используются оптодрайверы - — драйверы совмещённые с оптопарами. Оптодрайверы обеспечивают гальваническую развязку силовой схемы от управляющей, защищая её в случае аварии. А также обеспечивают гальваническую развязку земли при управлении верхними мосфет-транзисторами в мостовых схемах. Совмещение драйвера с оптопарой в одном корпусе упрощает разработку и монтаж схемы, уменьшает габариты изделия, его стоимость и  т. д.
# В сильно зашумлённых или находящихся под большим током цепях к выходу микросхем, основанных на MOSFET-структурах, подключают два обратно включённых диода Шоттки, т. н. диодную вилку (один диод — с общего провода на вход, другой — со входа на шину питания) для предотвращения явления «защёлкивания» МОП-структуры.
 
== Примечания ==
{{примечания}}
{{reflist}}
 
== Ссылки ==
* [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/transistor/igbt_semi/index.htm Принципы работы мощных MOSFET- и IGBT-транзисторов]
Источник — https://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-транзистор