МОП-структура: различия между версиями

460 байт добавлено ,  6 лет назад
Нет описания правки
 
В цифровой и силовой технике обычно применяются транзисторы только с индуцированным каналом. В аналоговой технике используются приборы обоих типов.<ref name="Жеребцов, 120-121" />
 
<!-- /* TODO работа в '''''режиме обеднения''''', в '''''режиме обогащения'''''. */-->
 
 
== Особенности работы МОП транзисторов ==
[[Файл:MOSFET1.svg|right|thumb|300px280px| Рис. 2 Схема включения транзистора]]
[[Файл:ВАХМОП.JPG|right|thumb|280px| Рис. 3 Выходная (стоковая) характеристика полевого транзистора с каналом n-типа]]
[[Файл:ВАХМОП.JPG|right|thumb|300px|[[Вольт-амперная характеристика]] изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.]]
 
В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.
Полевые транзисторы управляются напряжением проложенным к затвору транзистора относительно его истока.
: <math>I_c = I_u\,</math>
: <math>I_3\to 0\,</math>
 
При изменении входногоэтого напряжения (<math>U_{3u}\,</math>) изменяется состояние транзистора и ток стока (<math>I_c\,</math>).
# ТранзисторДля закрыттранзисторов с каналом n-типа при <math>U_{3u} < U_{nop}\,, I_c=0\,</math> транзистор закрыт;
# При <math>U_{3u} > U_{nop}\,</math> транзистор открывается и рабочая точка находится на нелинейном участке управляющей (стокозатворной) характеристики полевого транзистора
# Крутой участок. <math>U_{3u} > U_{nop}\,</math>
#: <math>I_c=K_n[(U_{3u}-U_{nop})U_{cu} - \frac{U_{cu}^2}{2}]\,</math>
#: <math>K_n\,</math>  — удельная крутизна характеристики транзистора.;
# ДальнейшееПри дальнейшем увеличение управляющего напряжения (<math>U_{3u}\,</math>) приводитрабочая кточка переходупереходит на пологийлинейный участок. стокозатворной характеристики
#: <math>I_c=\frac{K_n}{2}[U_{3u}-U_{nop}]^2\,</math>  — Уравнение [[Ховстайн]]а.
 
== Особенности подключения ==
Анонимный участник