МОП-структура: различия между версиями

32 байта добавлено ,  3 года назад
→‎Базовая классификация: различные исправления
(→‎Особенности подключения: 1. Несколько уточнений. 2. Тафтология. Аббревиатура "MOSFET" расшифровывается как "МОП транзистор" (буква "T"). Таким…)
Метки: правка с мобильного устройства правка из мобильного приложения
(→‎Базовая классификация: различные исправления)
 
=== Тип канала ===
Встречаются МОП-транзисторы с ''собственным'' (или встроенным) ({{lang-en|depletion mode transistor}}) и ''индуцированным'' (или инверсным) каналом ({{lang-en|enhancement mode transistor}}). Встроенный канал означает, что при нулевом напряжении затвор-исток канал транзистора открыт (т.е. проводит ток); для закрытия канала нужно приложить к затвору напряжение определеннойопределённой полярности. Канал приборов с индуцированным каналом закрыт (не проводит ток) при нулевом напряжении затвор-исток; для открытия канала нужно приложить к затвору напряжение определеннойопределённой полярности.
 
В цифровой и силовой технике обычно применяются транзисторы только с индуцированным каналом. В аналоговой технике используются приборы обоих типов.<ref name="Жеребцов, 120-121" />
 
=== Тип проводимости ===
Полупроводник канала может быть легирован примесями для получения электропроводности P или N типа. Подачей на затвор определенногоопределённого потенциала можно менять тип проводимости участка канала под затвором. Если вытеснять из канала его основные носители заряда, обогащая канал неосновными носителями, то это т. н.так называемый <i>режим обогащения</i>. При этом проводимость канала растетрастёт. Подачей противоположного по знаку потенциала на затвор можно обеднить канал неосновными носителями и уменьшить его проводимость (этот режимэто называется обеднением<i>режимом иобеднения</i>, характерен только для транзисторов со встроенным каналом).<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
 
Для n-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение, приложенное к управляющему электроду (затвору) и превышающее пороговое напряжение этого транзистора. Соответственно, для p-канальных полевых транзисторов отпирающим будет являться отрицательное (относительно истока) напряжение, приложенное к управляющему электроду и превышающее его пороговое.
 
Подавляющее большинство приборов по МОП -технологии выполняется так, что исток транзистора подключен к полупроводниковой «подложке» структуры (чаще всего это означает — к телу кристалла). При этом образуется так называемый паразитный диод между истоком и стоком. Избавление от этого диода сопряжено со значительными технологическими трудностями, поэтому с ним научились мириться и даже использовать в схемотехнических решениях. Для n-канальных полевых транзисторов паразитный диод подключен анодом к истоку, а для p-канальных анодом - к стоку.
 
=== Особые случаи ===