Травление (фотолитография): различия между версиями

'''Травление в литографии''' ({{lang-en|etching (development) in lithography}}) — этап фотолитографического процесса, заключающийся в полном или частичном удалении негативногослоя [[фоторезист]]аматериала смикросхемы необлученных(оксид, участковметалл, илиполупроводник) позитивногона фоторезистаучастках, сне облученныхзащищённых участковмаской [[подложка|подложкифоторезист]], покрытой тонкой пленкой фоторезистаа.

Наиболее часто используется [[реактивное ионное травление]], при котором подложка, покрытая маской, подвергается воздействию плазмы, возбужденной высокочастотным электрическим полем. Радикалы и нейтральные частицы плазмы участвуют в химических реакциях на поверхности, образуя летучие продукты, а положительные ионы плазмы бомбардируют поверхность и выбивают атомы с незащищенных участков подложки. Для каждого материала, подвергаемого сухому травлению, подбирается соответствующий реактивный газ. Так, например, органические резисты травят в кислородсодержащей плазме (CF₄ + O₂), алюминий — в хлорсодержащей плазме (Cl₂, CCl₄, BCl₃, BCl₃ +Cl₂, BCl₃ + CCl₄ +O₂), кремний и его соединения травят хлор- и фторсодержащей плазмой (CCl₄ + Cl₂ + Ar, ClF₃ + Cl₂, CHF₃, CF₄ + H₂, C₂F₆). Недостаток сухого травления — меньшая, по сравнению с жидкостным травлением, селективность. Вариантом сухого анизотропного травления является ионно-лучевое травление. В отличие от реактивного ионного травления, сочетающего физический и химический механизмы, [[ионно-лучевое травление]] определяется только физическим процессом передачи импульса. Ионно-лучевое травление является универсальным, пригодно для любого материала или сочетания материалов и обладает наивысшей среди всех методов травления разрешающей способностью, позволяя получать элементы с размером менее 10 нм.