Фосфид индия

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Фосфид индия
Boron-phosphide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
Porous InP.jpg
Общие
Хим. формула InP
Физические свойства
Молярная масса 145.79 г/моль
Плотность 4.81 г/см³
Термические свойства
Температура
 • плавления 1062 °C
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS 22398-80-7
PubChem
Рег. номер EINECS 244-959-5
SMILES
InChI
ChEBI 82281
ChemSpider
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Commons-logo.svg Медиафайлы на Викискладе

СсылкиПравить