Фосфид индия
Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.
| Фосфид индия | |
|---|---|
 | |
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | InP |
| Физические свойства | |
| Молярная масса | 145.79 г/моль |
| Плотность | 4.81 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 1062 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура сфалерита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 22398-80-7 |
| PubChem | 31170 |
| Рег. номер EINECS | 244-959-5 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 28914 и 22199222 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
 Медиафайлы на Викискладе | |
По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.
Ссылки
править- ИНДИЯ ФОСФИД в «Большой энциклопедии Кирилла и Мефодия»
- http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/index.html
Это заготовка статьи по химии. Помогите Википедии, дополнив её. |
В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |