Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.

Фосфид индия
Изображение молекулярной модели
Общие
Хим. формула InP
Физические свойства
Молярная масса 145.79 г/моль
Плотность 4.81 г/см³
Термические свойства
Температура
 • плавления 1062 °C
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS 22398-80-7
PubChem
Рег. номер EINECS 244-959-5
SMILES
 
InChI
ChemSpider
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки

править