Открыть главное меню

Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура, кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl. Узкозонный прямозонный полупроводник группы AIVBVI [1] с шириной запрещённой зоны 0,31 эВ при 300 K. Популярный термоэлектрический материал. Встречается в природе в виде минерала алтаита.

Теллурид свинца
Теллурид свинца
Общие
Хим. формула PbTe
Физические свойства
Состояние твердый
Молярная масса 334,80 г/моль
Плотность

8,16 г/см3

Период решетки 0,646 нм
Термические свойства
Т. плав. 924 °C
Коэфф. тепл. расширения 19,8*10-6 K-1
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура NaCl
Классификация
Рег. номер CAS 1314-91-6
PubChem
Рег. номер EINECS 215-247-1
SMILES
InChI
ChemSpider
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Теллурид свинца имеет необычно высокую для полупроводников диэлектрическую проницаемость (410 при 300 K), величина которой увеличивается до 3000 при охлаждении до 4,2 K. Поэтому теллурид свинца относят к виртуальным сегнетоэлектрикам[2].

Большое практическое значение имеет тройное соединение свинец-олово-теллур (англ.), имеющее ширину запрещенной зоны, зависящую от количества олова. Оно используется при изготовлении фоторезисторов, фотодиодов, лазеров, работающих в инфракрасной области спектра.

ПримечанияПравить

  1. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A4B6 (рус.) // Успехи физических наук : журнал. — Российская академия наук, 1985. — Т. 145. — С. 51—86.
  2. Bate, RT; Carter, DL; Wrobel, J. S. Paraelectric Behavior of PbTe (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1970. — Vol. 25. — P. 159—162. — DOI:10.1103/PhysRevLett.25.159.

СсылкиПравить

  • G. Nimtz, B. Schlicht. "Narrow-gap lead salts". In: Narrow-gap semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics, vol. 98, p. 1-117 (1983).
  • Dalven, R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
  • H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
  • H. Maier and J. Hesse. "Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap Semiconductors" in Crystal Growth, Properties and Applications, ed. H.C. Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.