Категория:Полупроводниковые приборы

• Полупроводниковые приборы

Б

• БСИТ

В

• Вертикально-излучающие лазеры
• Вольт-фарадная характеристика

Г

• Гетеропереход
• Гетероструктура
• Гибридная микросхема

И

• Интегральная инжекционная изопланарная логика
• Интегральная схема

К

• Квантово-каскадный лазер
• Кремний на изоляторе

Л

• Линейный резистор

М

• МДП-конденсатор

Н

• Нисидзава, Дзюнъити

О

• Однопереходный транзистор
• Оптрон
• Осциллистор

П

• Планарная технология
• Полупроводниковый лазер
• Полупроводниковый резистор
• Предел Шокли — Квиссера
• Прибор с зарядовой связью
• Производство фотоэлементов методом струйной печати

Р

• Резисторная оптопара
• Резонансно-туннельный диод
• Резонистор

С

• Светодиод
• Сканистор
• Солнечная батарея

Т

• Твердотельное реле
• Терморезистор
• Тестирование полупроводниковых пластин
• Транзистор с плавающим затвором
• Транзисторно-транзисторная логика

Ф

• Фоторезистор
• Фотоэлемент

Э

• Электролюминесцентный излучатель

H

• High-k

P

• P-n-переход
• Pin-диод

S

• S-приборы