Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон (род. 3 ноября 1950 года) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики конденсированного состояния, член-корреспондент РАН (2022).

Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон
Дата рождения 3 ноября 1950(1950-11-03) (73 года)
Место рождения пос. Быков, Долинский район, Сахалинская область, РСФСР, СССР
Страна  СССР Россия
Научная сфера физика конденсированного состояния
Место работы Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, НГУ
Альма-матер НГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук (1992)
Учёное звание профессор (1993)
член-корреспондент РАН (2022)
Награды и премии

Биография править

Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков Долинского района Сахалинской области.

В 1973 году — окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников имени А. Ф. Иоффе РАН

Работает в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, с 1998 года — заведующий лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.

В 1980 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах».

В 1992 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе».

С 1984 года — одновременно ведет преподавательскую деятельность в НГУ, с 1993 года — профессор кафедры полупроводников.

В 2022 году — избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН.

Научная деятельность править

З. Д. Квон является специалист в области физики конденсированного состояния. Его основная сфера научных интересов связана с изучением квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур[1].

Вклад З. Д. Квона в исследования физики конденсированного состояния описываются, но не исчерпываются следующими темами: интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием, подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов, мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова — Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, магнитный пробой двумерного топологического изолятора, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе[1].

Под руководством З. Д. Квона впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. В его лаборатории в Институте физики полупроводников в Новосибирске исследованы состояния двумерного полуметалла в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе, двумерные и трёхмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона[1].

Награды править

Примечания править

Ссылки править